به گزارش خبرگزاری برنا؛ دانشمندان روس موفق به ساخت نانوساختارهایی جدید برای استفاده در تولید نیمه‌هادی‌های نسل جدید شدند.
نیمه‌هادی جدید در ساخت تابنده‌های (emitter) لیزری نسل جدید مورد استفاده قرار گرفته‌اند.
این فناوری جدید، به افزایش توان دستگاه‌های لیزر، کوچک‌تر شدن آن‌ها و کاهش مصرف انرژی کمک می‌کند که این مساله به‌ویژه برای استفاده از لیزر در بسیاری از زمینه‌ها مانند اندازه‌شناسی (Metrology)، پزشکی، ارتباطات پرسرعت فیبر‌نوری اهمیت دارد.
این فناوری براساس ترکیبات نیمه‌هادی آلومینیوم، گالیم و ایندیم با فسفر و آرسنیک طراحی شده است.
چنین ساختارهایی برای محدوده‌های طیفی بسیار پرکاربرد ۷۵۰_۸۵۰ نانومتر، ۹۸۰_۹۰۰ نانومتر و ۱۵۰۰_۱۶۰۰ نانومتر بهینه هستند و قدرت دستگاه های لیزر را افزایش می‌دهند.
انتهای پیام/