به گزارش سرویس دانش و فناوری برنا، نمونه اولیه این سیستم رایانهای جدید، بیانگر یک گام مهم در راستای ارتقای پیچیدگی مدارهای رایانهای است که میتوانند از مولفههای نانومقیاسی سنتزی، آرایش یابند.
همچنین این نمونه اولیه نشانگر یک پیشرفت است زیرا این نانومدارهای بسیار ریز میتوانند به صورت الکترونیکی برنامهریزی شوند و تعدادی از اعمال اصلی منطقی و ریاضی را انجام دهند.
چارلز لایبر، از دانشگاه هاروارد و یكی از این محققان، میگوید: «این کار نشاندهنده یک پرش کوانتومی به سوی افزایش پیچیدگی و عملكرد مدارهای ساخته شده از روشهای پایین- به- بالا است و به همین خاطر نشان میدهد که این نمونه پایین- به- بالا، که با روشی که امروزه مدارهای تجاری از آن ساخته میشود، متفاوت است، میتواند در آینده در ساخت نانوریزپردازندهها و سایر سیستمهای مجتمع مورد استفاده واقع شود.»
این کار به خاطر پیشرفتهای انجام شده در طراحی و سنتز آجربناهای نانوسیمی امكانپذیر شده است. اکنون این مولفههای نانوسیمی نشانگر تکرارپذیری مورد نیاز برای ساخت مدارهای الکترونیکی عملكردی هستند و همچنین این کار را در اندازهها و موادی انجام میدهند که انجام آنها با رهیافتهای بالا- به- پایین متداول بسیار مشکل است.
علاوه براین، این ساختار كاشیكاری شده بسیار مقیاسپذیر است و بههمین خاطر اجازه آرایش نانوریزپردازندههای بزرگتر و با خواص عملكردی بیشتر را میدهد.
لایبر میگوید كه در 10 تا 15 سال گذشته، پژوهشگرانی که روی نانوسیمها، نانولولههای کربنی، و سایر نانوساختارها کار کرده اند، برای ساخت اکثر مدارهای اساسی با استفاده از این نانوساختارهای منفرد كه خواص ویژهای دارند، تلاش زیادی داشتهاند. اکنون ما نشان دادهایم که این كار امكانپذیر است و از اینرو هیجان زیادی برای بکارگیری این فرآیند پایین- به- بالا جهت ساخت الکترونیک آینده در ما ایجاد شده است.
ویژگی دیگر این پیشرفت آن است که مدارهای موجود در این نانوپردازندهها دارای توان مصرفی بسیار کم هستند، حتی با لحاظ کردن اندازه کوچک آن ها، زیرا آن ها شامل سوئیچهای ترانزیستوری هستند که «غیرفرار» هستند.
این بدان معناست که برخلاف ترانزیستورهای موجود در مدارهای ریزرایانهای متدوال، همین که این ترانزیستورهای نانوسیمی برنامهریزی شوند دیگر هیچ نیازی به توان الکتریکی اضافی برای نگهداری آن ها نخواهد بود.
این محققان نتایج خود را در مجله Nature منتشر كردهاند.