به گزارش خبرگزاری برنا؛ در این روش جدید نوعی آلیاژ خاص متشکل از «ژرمانیوم»، «آنتی‌موان» و «تلاریوم» که در ساخت حافظه‌های تغییر فاز کاربرد دارد، با الماس جایگزین می‌شود.
حافظه‌هایی که به این روش ساخته می‌شوند 100 برابر سریع‌تر از حافظه‌های فلش بوده و تا 100 هزار بار امکان بازنویسی اطلاعات را فراهم می‌کنند.
در حال حاضر شرکت «آی‌بی‌ام» و سایر شرکت‌های سخت‌افزاری، این فناوری را برای تولید تراشه‌هایی با قابلیت پنج میلیون بازنویسی مورد استفاده قرار می‌دهند.
انتظار می‌رود تا پنج سال آینده تمام هارددیسک‌ها با استفاده از این فناوری تولید شوند و فضایی صدها برابر فضای کنونی را برای ذخیره اطلاعات با هزاران برابر سرعت فعلی آن فراهم کنند.