سایر زبان ها

صفحه نخست

فیلم

عکس

ورزشی

اجتماعی

باشگاه جوانی

سیاسی

فرهنگ و هنر

اقتصادی

هوش مصنوعی، علم و فناوری

بین الملل

استان ها

رسانه ها

بازار

صفحات داخلی

آی‌بی‌ام از فناوری زیر یک نانومتر رونمایی کرد

۱۴۰۵/۰۴/۰۷ - ۱۹:۰۰:۰۲
کد خبر: ۲۳۵۹۵۵۹
برنا - گروه علمی و فناوری: آی‌بی‌ام با معرفی طراحی تراشه‌ای با ترانزیستور‌های ۰.۷ نانومتری و معماری سه‌بعدی نانواستک از جهشی بزرگ در قدرت پردازش و بهره‌وری انرژی خبر داد.

آی‌بی‌ام از فناوری تازه‌ای در حوزه تراشه‌های نیمه‌هادی رونمایی کرده است که می‌تواند مسیر آینده پردازش، هوش مصنوعی و رایانش پیشرفته را تغییر دهد. این شرکت از طراحی نخستین فناوری تراشه با مقیاس کمتر از یک نانومتر خبر داده؛ ساختاری که در آن عرض ترانزیستور‌ها به حدود ۰.۷ نانومتر (۷ آنگستروم) می‌رسد و از آن به‌عنوان کوچک‌ترین مقیاس ثبت‌شده در صنعت نیمه‌هادی یاد می‌شود.

به گزارش hwbusters، بر اساس اعلام این شرکت این طراحی جدید قادر است امکان جای‌گذاری حدود ۱۰۰ میلیارد ترانزیستور را روی تراشه‌ای به اندازه یک ناخن فراهم کند. ظرفیتی که به‌طور چشمگیری نسبت به نسل‌های فعلی افزایش یافته و به‌عنوان جهشی مهم در معماری پردازنده‌ها مطرح شده است.

در این فناوری علاوه بر کاهش ابعاد تمرکز اصلی بر تغییر معماری ساخت نیز بوده است. آی‌بی‌ام از ساختاری با نام نانواستک استفاده کرده که در آن به‌جای گسترش افقی ترانزیستور‌ها چیدمان آنها به‌صورت عمودی انجام می‌شود. این رویکرد مشابه ساخت یک آسمان‌خراش چندطبقه است که در مقایسه با معماری‌های متداول امکان افزایش چشمگیر تراکم و کارایی را فراهم می‌کند. در گزارش‌ها آمده است شرکت‌هایی مانند سامسونگ و اینتل در مسیر مشابه اما در سطوح پایین‌تر از نظر عمق سه‌بعدی‌سازی قرار دارند.

آی‌بی‌ام اعلام کرده است این طراحی می‌تواند نسبت به تراشه‌های ۲ نانومتری فعلی حدود ۷۰ درصد بهره‌وری انرژی بیشتر و نزدیک به ۵۰ درصد توان پردازشی بالاتر ارائه دهد. در حوزه هوش مصنوعی نیز برآورد شده است که این فناوری قادر باشد توان پردازشی سیستم‌های شتاب‌دهنده را تا حدود شش برابر افزایش دهد؛ به‌گونه‌ای که سرعت آموزش مدل‌های بزرگ از چند ماه به چند هفته کاهش پیدا کند.

یکی از نوآوری‌های کلیدی در این پروژه بهبود عملکرد حافظه روی تراشه و افزایش حدود ۴۰ درصدی ظرفیت SRAM عنوان شده است؛ موضوعی که یکی از گلوگاه‌های اصلی در پردازش‌های سنگین هوش مصنوعی محسوب می‌شود. همچنین مهندسان این شرکت با توسعه روش‌های جدید در اتصال ویفر‌ها و طراحی ترانزیستور‌های میدان‌اثر توانسته‌اند چگالی بالاتر و خطا‌های ساخت کمتر را به دست آورند.

با وجود این پیشرفت‌ها چالش‌های فنی همچنان پابرجاست. مدیریت حرارت در ساختار‌های سه‌بعدی متراکم و همچنین اطمینان از عملکرد پایدار ترانزیستور‌ها در لایه‌های فوق‌فشرده از مهم‌ترین موانع تجاری‌سازی این فناوری به شمار می‌رود.

آی‌بی‌ام تاکید کرده است که این فناوری هنوز در مرحله توسعه قرار دارد و ورود آن به تولید انبوه چند سال زمان خواهد برد. با این حال کارشناسان معتقدند این دستاورد می‌تواند مسیر صنعت نیمه‌هادی را به سمت معماری‌های عمودی و بسیار متراکم هدایت کند، مسیری که در نهایت ظرفیت‌های جدیدی برای رایانش پرقدرت، هوش مصنوعی و زیرساخت‌های پردازشی آینده ایجاد خواهد کرد.

انتهای پیام/

نظر شما