برنا - گروه علمی و فناوری: پژوهشگران موفق شدند ترانزیستوری بسازند که نهتنها جریان را با انرژی کمتر و سرعت بالاتر کنترل میکند بلکه اطلاعات را نیز در خود ذخیره میکند.
کد خبر: ۲۲۶۰۹۵۴
تاریخ انتشار: ۱۴۰۴/۰۷/۰۴
برنا - گروه علمی و فناوری: پژوهشگران ژاپنی موفق به ساخت اولین ترانزیستور MOSFET نوع n بر پایه الماس شدند.
کد خبر: ۲۲۰۶۵۰۵
تاریخ انتشار: ۱۴۰۴/۰۱/۲۲
مسیر تولید ترانزیستورهایی با ابعاد کمتر از یک نانومتر امکانپذیر میشود. یک تیم تحقیقاتی به سرپرستی جو مون هو از مرکز مواد جامد کوانتومی ون در والس در انستیتوی علوم پایه (IBS)، روش جدید برای دستیابی به رشد اپیتاکسیال مواد فلزی ۱D با عرض کمتر از ۱ نانومتر ارائه کرده است.
کد خبر: ۲۱۱۵۲۸۳
تاریخ انتشار: ۱۴۰۳/۰۴/۱۹
شرکت گرافنا در اسپانیا خط تولید mGFitsET حسگرهای مبتنی بر گرافن خود را با یک مخزن داخلی حاوی سیال به روز کرد.
کد خبر: ۱۴۲۶۲۲۷
تاریخ انتشار: ۱۴۰۱/۱۱/۰۲
محققان روشی برای چیدمان دقیق ذرات در مقیاس نانو بر روی سطحی مانند تراشه سیلیکونی ارائه کردند، به طوری که این نانومواد به سطح آسیب نمیرسانند.
کد خبر: ۱۳۹۴۴۵۷
تاریخ انتشار: ۱۴۰۱/۰۸/۱۲
شرکت آرچر متریالز با توسعه فناوری ترانزیستور اثر میدان مبتنی بر گرافن به دنبال استفاده از آن در پلتفرمهای تشخیص طبی است.
کد خبر: ۱۳۹۲۱۶۸
تاریخ انتشار: ۱۴۰۱/۰۸/۰۷
توالی سنج دستگاهی است که سمت و سوی فاز را در دستگاه ها مشخص می کند و کمک میکند راه اندازی به صورت ایمن انجام شود.
کد خبر: ۱۳۵۲۶۰۷
تاریخ انتشار: ۱۴۰۱/۰۴/۲۸
محققان انجمن شیمی آمریکا یک حسگر زیستی مبتنی بر فناوری ترانزیستور اثر میدانی ساختند که قادر است ویروس SARA-CoV-۲ را با استفاده از نمونه مخاط بینی در مدتی کمتر از یک دقیقه تشخیص دهد.
کد خبر: ۹۹۱۳۰۲
تاریخ انتشار: ۱۳۹۹/۰۲/۰۲