آغاز آزمایش تراشه ۱.۴ نانومتری سامسونگ با کش ۹۶ مگابایتی

سامسونگ آزمایش‌های اولیه روی نسل آینده تراشه‌های اگزینوس مبتنی بر فناوری ساخت ۱.۴ نانومتری را آغاز کرده است؛ تراشه‌ای که طبق اطلاعات منتشرشده، با افزایش قابل‌توجه فرکانس پردازنده و استفاده از حافظه کش بسیار بزرگ در سطح سیستم می‌تواند یکی از جاه‌طلبانه‌ترین طراحی‌های سامسونگ در حوزه تراشه‌های موبایلی باشد.

به گزارش برنا، بر اساس گزارش‌های منتشرشده این تراشه از یک پردازنده مرکزی ۱۰ هسته‌ای بهره خواهد برد. در این معماری دو هسته قدرتمند اصلی قادر خواهند بود به فرکانس حداکثر ۴.۵۰ گیگاهرتز دست پیدا کنند؛ رقمی که در مقایسه با حداکثر فرکانس ۳.۸ گیگاهرتزی تراشه اگزینوس ۲۶۰۰ حدود ۱۹ درصد افزایش را نشان می‌دهد. 

علاوه بر این چهار هسته پردازشی دیگر با فرکانس ۳.۸۰ گیگاهرتز فعالیت خواهند کرد و چهار هسته کم‌مصرف نیز با فرکانس ۲.۰۰ گیگاهرتز برای مدیریت وظایف سبک‌تر و بهینه‌سازی مصرف انرژی در نظر گرفته شده‌اند.

یکی از مهم‌ترین ویژگی‌های این تراشه استفاده از ۹۶ مگابایت کش در سطح سیستم یا System Level Cache (SLC) عنوان شده است.

این تراشه همچنین از باس داده‌ای بسیار عریض بهره می‌برد تا تاخیر ارتباطی میان پردازنده مرکزی (CPU) و پردازنده گرافیکی (GPU) به حداقل برسد. افزایش ظرفیت کش SLC به این معناست که حجم بیشتری از داده‌های پرتکرار در یک حافظه بسیار سریع ذخیره می‌شوند؛ موضوعی که می‌تواند تأخیر دسترسی به حافظه را کاهش دهد و پهنای باند مؤثر سیستم را افزایش دهد. در عمل چنین بهینه‌سازی‌هایی ممکن است نیاز به فعال‌بودن مداوم واحد‌هایی مانند CPU، GPU، واحد پردازش عصبی (NPU) و پردازنده سیگنال تصویر (ISP) را کاهش دهد و در نتیجه به بهبود بهره‌وری انرژی کمک کند.

با این حال استفاده از کش SLC در ابعاد بسیار بزرگ چالش‌های فنی و اقتصادی قابل‌توجهی به همراه دارد. این نوع حافظه بخش قابل‌توجهی از سطح قالب سیلیکونی یا «دای» تراشه را اشغال می‌کند. افزایش ابعاد دای معمولا به معنای افزایش هزینه تولید است، زیرا هرچه سطح تراشه بزرگ‌تر باشد تعداد تراشه‌های قابل تولید از هر ویفر کاهش می‌یابد و در نتیجه هزینه نهایی ساخت بالا می‌رود.

در گزارش منتشرشده همچنین اشاره شده است که در حال حاضر بیشترین میزان کش SLC در تراشه‌های گوشی‌های هوشمند حدود ۱۰ مگابایت است که در تراشه Dimensity ۹۵۰۰ مدیاتک مشاهده می‌شود. در چنین شرایطی افزایش این مقدار به ۹۶ مگابایت می‌تواند ابعاد دای را تا حدی افزایش دهد که استفاده از آن در فرم‌فکتور گوشی‌های هوشمند با محدودیت‌هایی مواجه شود. با این حال چنین تراشه‌ای ممکن است برای دسته‌های دیگری از دستگاه‌ها، مانند تبلت‌ها، لپ‌تاپ‌های فوق‌باریک یا دستگاه‌های محاسباتی پیشرفته، کاربرد پیدا کند.

سامسونگ اعلام کرده است که هدف‌گذاری برای تولید انبوه فناوری ساخت ۱.۴ نانومتری این شرکت سال ۲۰۲۹ است؛ بنابراین هنوز چندین سال زمان برای توسعه، آزمایش و بهینه‌سازی این معماری در اختیار مهندسان سامسونگ قرار دارد. به همین دلیل هرچند جزئیات اولیه منتشرشده چشمگیر و هیجان‌انگیز به نظر می‌رسند اما در حال حاضر باید با احتیاط و دیده تردید به این اطلاعات نگاه کرد تا زمانی که جزئیات رسمی و نهایی از سوی سامسونگ منتشر شود.

انتهای پیام/